mosfet开关控制产生脉冲，测的是后面R2C3上的电压(别看探针，不是那两端)，要通过AD采集到单片机，误差要在1微秒以内的。所以应该用什么方法把电压降到AD的测量范围内，保证响应时间足够快，对主电路影响极小的方法。

，终于发现那个70多V的尖峰是怎么来的了。。。我的输入电压有稳压源出来的，但单板上没有大储能电容，导致开关管切换时输入电压也跟随变化。现在在输入电压端加了个100uF的电容电压尖峰明显减小了，也去掉RCD吸收确认过。

开关管饱和导通之后，甶于初级绕组的（储能绕组）的电感量很大.开关管源极和漏极 的电流仍将增长…段时间.开关变压器初级主绕组中的电流缓慢增大。当主绕组中的电流不 再增加时.反馈绕组中的感应电压为零.电容器C4由原来左负右正的充电状态，通过ZD2. R9. R5. L2放电.为下一次充电做准备，这个放电过程将使幵关管的栅极电压下降.引起

我们公司的初级6PIN的混合模式工作（CCM+QR+谷低+降频）搭配我们公司“无死区”智能CCM同步整流芯片，无论在效率，成本，稳定性，待机方面都可以秒掉以前我提到的跨在初次级的ISO芯片，同样也可以秒掉PI的这种跨在初次级的芯片。

如果想在r为0.4时从变换器中得到5A的输出?峰值山特ups电源的电流为1.2X5 = 6A。正如 开始提到的，耠用LM2679,则除非用更低的r(增加电感量），否則将不能得到想要的输 出。r的最大值为

1.LED10万小时做指示灯用的,5万小时的寿命是光衰在70%的光衰(即还有30%的亮度),3万小时没人做过试验,我们做过2万多小时的试验,基本上是业界最长时间的试验了.光衰在20%的光衰,明天上班再拆下来测一下光通量.

图6-7是直流电压检测和相应的信号输出电路。逆变器的直流输入电压的检测是很重要 的，过低的直流输入电压可能是由于整流器故障、蓄电池过度放电、逆变器故障等引起，过低 的直流电压也不可能使逆变器的输出特性满足性能指标的要求。运算放大器^接成具有正反 馈的电压比较器，基准电压由稳压管D,的齐纳电压决定。被比较的直流电压经分JER以 后送入^的反相输入端，为了对直流电压检测，这样获得信号的方法是最简便的，也是最准 确的，但其输出信号又要送到静止开关和逆变器的控制电路，为了不使主电路和控制电路 在电气上有联系，采用光电耦合器件是较合适的_

刚接了个案子做12V6A的裸板。启动电压要求9A，我计划做到9.5A能直接启动，用的7575的芯片，但是我感觉不太稳定，100V工作，变压器初级32圈。次级4圈，反馈6圈，因为是低压，MOS的峰值电压很高，但也在工作电压之内，用的600V的管子，变压器能不能怎么弄一下，性能可以高一点，稳定一点？求高手赐教。